85.41 二极管、晶体管及类似的半导体器件；光敏半导体器件，包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池；发光二极管（LED）；已装配的压电晶体(+)：
10 — 二极管，但光敏二极管或发光二极管（LED）除外
— 晶体管，但光敏晶体管除外：
21 — — 耗散功率小于1瓦的
29 — — 其他
30 — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件，但光敏器件除外
40 — 光敏半导体器件，包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池；发光二极管（LED）
50 — 其他半导体器件
60 — 已装配的压电晶体
90 — 零件
一、二极管、晶体管及类似的半导体器件
半导体器件的定义，参见本章注释九（一）。
这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。
这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体（金属）与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质：某些矿石（例如，结晶方铅矿）、四价化学元素（锗、硅等）或化学元素的化合物（例如，砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物）。
含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用，必须掺入极微量（以百万分之几计）的特定“杂质”（掺杂剂）之后才可使用。
掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素（磷、砷、锑等）或三价元素（硼、铝、镓、铟等）。前者可得到带多余电子（带负电）的ｎ型半导体；后者可得到所带电子不足，也就是说以空穴（带正电）为主的ｐ型半导体。
由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。
矿石半导体材料中含有天然杂质，可作为掺杂剂。
本组的半导体器件一般在ｐ型与ｎ型半导体材料之间含有一个或多个“结”。
这些半导体器件包括：
（一）二极管，一种仅带有一个ｐ-ｎ结的半导体两端器件，可单向（正向）导电，而对另一方向（反向）的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。
二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。
（二）晶体管，为半导体三端或四端器件，能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化，并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱，从而起到放大的作用。
晶体管包括：
1．双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件；这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作（因而是双极的）。
2．场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体（MOS）场效应管〕，不论其是否带有面结，均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭（或感应增强）进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子（因而是单极的）。MOS场效应晶体管（也称为MOSFET）中的寄生二极管，可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。
（三）类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件，是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。
它们包括：
1．半导体开关元件。这种器件的半导体材料（带有三个或三个以上的ｐ-ｎ结）共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时，直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器，其性能与带有一个共集极／共基极结的两个联结互补晶体管相同。
2．三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料（带有四个ｐ-ｎ结）共有五个传导区，当控制脉冲产生传导性时，交流电可通过。
3. 绝缘栅双极型晶体管（IGBT），是由一个门极、两个负载极（发射极及集电极）构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压，可以控制电流的流向，即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块)，以保护IGBT器件，并使其具有晶体管的功能。
4．两端交流开关元件。这种器件的半导体材料（带有两个ｐ-ｎ结）共有三个传导区，可产生所需脉冲，以操纵三端双向可控硅开关元件。
5．可变电抗器（或称变容二极管）。
6．场效应器件，例如，栅极晶体管。
7．冈恩效应器件。
但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同，主要利用温度、压力等进行工作。例如，非线性半导体电阻器（热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等）（品目85.33）。
利用光线进行工作的光敏器件（光敏二极管等）的归类，参见第二部分。
上述半导体器件，不论其报验时已经装配（即已装有线接头或引线），或者已装有外壳（器件），或未装配（元件），或者甚至是未切成形的薄圆片（晶片），均归入本品目。但天然半导体材料（例如，方铅矿）须经装配才可归入本品目。
本品目也不包括第二十八章的化学元素（例如，硅及硒）经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状，不论是否已经抛光，也不论是否已经覆有均匀的外延层，均不归入本品目，除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散，形成分立的导电区。
二、光敏半导体器件
本组包括光敏半导体器件，这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下，利用其内在光电效应，引起电阻率的变化或产生电动势。
利用外部光电效应（光电发射）进行工作的光电发射管，应归入品目85.40。
光敏半导体器件的主要类型有：
（一）光电管（光敏电阻器），一般装有两个电极，两个电极之间为半导体（硫化镉、硫化铅等），其电阻随所受到的光照强度而变化。
光电管用于火焰探测器，自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表，自动开门系统等。
（二）光电池，可直接把光变成电能，无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率，特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。
光电池的主要类型有：
1．太阳电池，一种硅阻挡层光电池，可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如，用于探索太空的火箭及人造卫星；山区呼救送话器。
本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件，直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件，不论所配元件如何简单（例如，用于控制电流方向的二极管）（品目85.01）。
2．光电二极管（锗光电二极管、硅光电二极管等）。光电二极管的特点是，当光线照射到ｐ-ｎ结时，其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理（储存数据的读取）；在某些电子管中作为光阴极使用；用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。
光电二级管装上外壳后，可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别；光电二极管的外壳有部分是透明的，以便透光。
3．光电耦及光电继电器，由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。
光电半导体器件报验时，不论是已经装配（例如，装有线接头或引线），已装外壳或未经装配的，均归入本品目。
三、发光二极管（LED）
发光二极管（LED），或电发光二极管（特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管）是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件，例如，可在控制系统中作显示或传输数据之用。
激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束，用于探测核子，也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。
四、已装配的压电晶体
压电晶体主要由钛酸钡（包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件）、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体（参见相应的注释）、石英或电气石晶体制成，用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状，并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等，或装在支座上，常装有一个外壳（例如，金属盒、玻璃泡）。但如果装配了其他器件，整件货品（装上附加晶体）则不能作为已经装配的晶体，而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如，传声器或扬声器用的压电元件（品目85.18）；拾音头（品目85.22）；超声波测厚仪用的拾波元件（探针）（一般酌情根据第九十章注释二（二）归入第九十章或归入品目90.33）；电子表用的石英振荡子（品目91.14）。
本品目不包括未装配的压电晶体（一般归入品目38.24、71.03或71.04）。
零 件
除零件的归类总原则另有规定的以外（参见第十六类总注释），本品目所列货品的零件也应归入本品目。
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子目注释：
子目8541.21
把特定的工作电压施加到晶体管上，并测量其连续处理功率，当晶体管外壳的温度为25℃时，即可测量出晶体管的耗散功率。例如，如果一个晶体管给定操作电压为5伏特，晶体管外壳的温度保持在25℃时，可连续处理0.2安培的负载，那么，该晶体管的耗散功率即为1瓦特（安培数×伏特数＝瓦数）。
带有热耗散器件（例如，突片、金属壳）的晶体管，以其底部或壳子的温度作为参照温度（25℃）；而其他晶体管（例如，配有简单的塑料外壳）则以室温作为参照温度。
